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在掃描電鏡成像中怎樣減少或校正樣品表面的充電效應(yīng)

在掃描電鏡（SEM）成像中，樣品表面的充電效應(yīng)可能導(dǎo)致圖像的失真和噪音。

掃描電鏡（SEM）在材料失效分析中起著關(guān)鍵作用，提供了對微觀結(jié)構(gòu)和表面形貌的高分辨率圖像，有助于深入理解材料的性質(zhì)和失效機制。

避免或減輕掃描電鏡樣品制備過程中的偽跡和偽影是確保獲得高質(zhì)量顯微圖像的關(guān)鍵步驟。

掃描電鏡（SEM）與傳統(tǒng)光學(xué)顯微鏡有一些顯著的不同之處，包括以下幾點：

透過掃描電鏡（SEM）可以觀察各種樣品，包括但不限于以下內(nèi)容：

掃描電鏡需要處于真空環(huán)境的原因有以下幾點：

掃描電子顯微鏡通常用于金屬和合金分析的原因如下：

掃描電鏡樣品表面的 "熱偽影" 現(xiàn)象通常是由于電子束的高能量導(dǎo)致的。這種現(xiàn)象可能會導(dǎo)致樣品局部升溫，影響成像和分析結(jié)果。