掃描電鏡中的電子束與樣品相互作用可能導致多種影響和損傷，這取決于電子束的能量、強度和樣品的性質。以下是一些可能出現的影響和損傷：

電子束散射和吸收： 電子束在與樣品相互作用時可能會發(fā)生散射和吸收。這些過程可以導致成像中的對比度變化，尤其是在厚樣品中。

樣品加熱： 電子束的能量會被樣品吸收，導致樣品升溫。這對于熱敏感樣品來說可能是一個問題，因為高溫可以引發(fā)樣品的結構變化或破壞。

表面電荷： 電子束可以引起樣品表面的電子排列變化，導致表面電荷的積累。這可能影響成像的對比度，并導致圖像中的偽影。

輻射損傷： 高能電子束可以損傷樣品的結構，尤其是有機材料。這種損傷包括斷鍵、氧化和結構退化。

充電和電子漂移： 電子束對樣品的電荷引起充電效應，可能導致樣品的電子漂移，影響成像的穩(wěn)定性。

離子化和排出氣體： 在高能電子束作用下，樣品可能會發(fā)生氣體解吸和離子化，導致真空系統(tǒng)內的氣體排放，影響成像和分析。

偽影和偽結構： 樣品的電子束散射和吸收可能會產生偽影和偽結構，影響成像的解析度和準確性。

樣品漂移： 電子束可以引起樣品的微小位移，尤其是對于不穩(wěn)定的樣品來說，這可能導致圖像模糊或失真。

ZEM20臺式掃描電鏡

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