掃描電鏡是用聚焦電子束在試樣表面逐點掃描成像。試樣為塊狀或粉末顆 粒，成像信號可以是二次電子、背散射電子或吸收電子。其中二次電子是主要的成像信號。由電子槍發(fā)射的能量為 5 ～ 35keV 的電子，以其交 叉斑作為電子源，經(jīng)二級聚光鏡及物鏡的縮小形成具有一定能量、一定束流強度 和束斑直徑的微細電子束，在掃描線圈驅動下，于試樣表面按一定時間、空間順序作柵網(wǎng)式掃描。聚焦電子束與試樣相互作用，產生二次電子發(fā)射(以及其它物 理信號)，二次電子發(fā)射量隨試樣表面形貌而變化。二次電子信號被探測器收集 轉換成電訊號，經(jīng)視頻放大后輸入到顯像管柵極，調制與入射電子束同步掃描的 顯像管亮度，得到反映試樣表面形貌的二次電子像。

　　影響掃描電鏡(SEM)的幾大要素

　　分辨率

　　影響掃描電鏡的分辨本領的主要因素有：

　　A. 入射電子束束斑直徑：為掃描電鏡分辨本領的極限。一般，熱陰極電子槍的很小束斑直徑可縮小到6nm，場發(fā)射電子槍可使束斑直徑小于3nm。

　　B. 入射電子束在樣品中的擴展效應：擴散程度取決于入射束電子能量和樣品原子序數(shù)的高低。入射束能量越高，樣品原子序數(shù)越小，則電子束作用體積越大，產生信號的區(qū)域隨電子束的擴散而變大，從而降低了分辨率。

　　C. 成像方式及所用的調制信號：當以二次電子為調制信號時，由于其能量低(小于50 eV)，平均自由程短(10~100 nm左右)，只有在表層50～100 nm的深度范圍內的二次電子才能逸出樣品表面， 發(fā)生散射次數(shù)很有限，基本未向側向擴展，因此，二次電子像分辨率約等于束斑直徑。

　　當以背散射電子為調制信號時，由于背散射電子能量比較高，穿透能力強，可從樣品中較深的區(qū)域逸出(約為有效作用深度的30%左右)。在此深度范圍，入射電子已有了相當寬的側向擴展，所以背散射電子像分辨率要比二次電子像低，一般在500～2000nm左右。

　　如果以吸收電子、X射線、陰極熒光、束感生電導或電位等作為調制信號的其他操作方式，由于信號來自整個電子束散射區(qū)域，所得掃描像的分辨率都比較低，一般在l000 nm或l0000nm以上不等。

　　放大倍數(shù)

　　掃描電鏡的放大倍數(shù)可表示為M =Ac/As式中，Ac—熒光屏上圖像的邊長；As—電子束在樣品上的掃描振幅。一般地，Ac 是固定的(通常為100 mm)，則可通過改變As 來改變放大倍數(shù)。

　　目前，大多數(shù)商品掃描電鏡放大倍數(shù)為20～20,000倍，介于光學顯微鏡和透射電鏡之間，即掃描電鏡彌補了光學顯微鏡和透射電鏡放大倍數(shù)的空擋。

　　景 深

　　景深是指焦點前后的一個距離范圍，該范圍內所有物點所成的圖像符合分辨率要求，可以成清晰的圖像；也即，景深是可以被看清的距離范圍。

　　掃描電子顯微鏡的景深比透射電子顯微鏡大10倍，比光學顯微鏡大幾百倍。由于圖像景深大，所得掃描電子像富有立體感。電子束的景深取決于臨界分辨本領d0和電子束入射半角αc。其中，臨界分辨本領與放大倍數(shù)有關，因人眼的分辨本領約為0.2 mm, 放大后，要使人感覺物像清晰，要使電子束的分辨率高于臨界分辨率d0 ：電子束的入射角可通過改變光闌尺寸和工作距離來調整，用小尺寸的光闌和大的工作距離可獲得小的入射電子角。

　　襯 度

　　襯度包括：表面形貌襯度和原子序數(shù)襯度。

　　表面形貌襯度由試樣表面的不平整性引起。

　　原子序數(shù)襯度指掃描電子束入射試祥時產生的背散射電子、吸收電子、X射線，對微區(qū)內原子序數(shù)的差異相當敏感。原子序數(shù)越大，圖像越亮。二次電子受原子序數(shù)的影響較小。高分子中各組分之間的平均原子序數(shù)差別不大；所以只有—些特殊的高分子多相體系才能利用這種襯度成像。

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