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如何在掃描電鏡中設(shè)置長(zhǎng)時(shí)間掃描以減少圖像偽影

在掃描電子顯微鏡（SEM）?中，長(zhǎng)時(shí)間掃描是一種有效減少圖像偽影（artifacts）的方法。

掃描電子顯微鏡（SEM）?是分析樣品斷裂面的強(qiáng)大工具，通過(guò)其高分辨率的成像能力，結(jié)合多種分析技術(shù)，能夠詳細(xì)研究斷裂機(jī)制、材料的微觀結(jié)構(gòu)以及斷裂模式。

多電壓成像（multi-voltage imaging）是掃描電子顯微鏡（SEM）?中一種技術(shù)，通過(guò)在不同的加速電壓下對(duì)同一位置進(jìn)行成像，來(lái)獲得更多的樣品信息。

處理和觀察非導(dǎo)電樣品是臺(tái)式掃描電鏡（SEM）?中的一個(gè)常見(jiàn)問(wèn)題，因?yàn)閭鹘y(tǒng)的SEM通常需要樣品具有一定的導(dǎo)電性才能獲得良好的圖像質(zhì)量。

在臺(tái)式掃描電鏡?中觀察高溫樣品是一項(xiàng)挑戰(zhàn)性的任務(wù)，需要特定的樣品支持和操作技術(shù)。

ZEM系列臺(tái)式掃描電鏡的使用為研究提供了重要的視覺(jué)證據(jù)，幫助研究人員理解PLT如何影響材料的表面特性，這些特性的變化直接關(guān)聯(lián)到材料的光學(xué)和電物理性能。

提高掃描電鏡清晰度的方法包括：

掃描電鏡的工作距離（Working Distance, WD）是指從樣品表面到物鏡下端的距離。